深硅刻蚀
DEEP SILICON ETCHING
应用场景
主要用于硅材料的高速，深度，高深宽比刻蚀。比如：三维集成电路堆叠技术的硅通孔工艺；MEMS电容式惯性传感器；MEMS器件的深孔或深槽刻蚀等。
工艺气体
C4F8、CF4、SF6、O2和Ar
刻蚀材料
用于硅片的高深比刻蚀，推荐PR掩膜
刻蚀能力
①工艺兼容性良好，基础工艺可兼容50μm-1.2mm图形，角度垂直，刻蚀速率＞8 um/min，与PR选择比＞70；
②高深宽比， TSV 10μm可用PR掩膜刻蚀150μm，TSV 1μm 可用PR掩膜刻蚀15μm，角度垂直；
③小线宽极限刻蚀： Trench 0.6μm可达到深宽比＞50
刻蚀均匀性：5%
深硅刻蚀
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