离子注入
ION IMPLANTATION
离子注入
Si注入工艺常见元素B、BF2、P、H、He、N、O、C、Ar、Si、Mg
真空退火
真空度：≤8.0×10^-4Pa；工艺温度：350℃-650℃
快速高温退火
主要用于：电极合金、掺杂激活、薄层氧化/栅氧化
100℃~1000℃
请输入主标题
请输入要描述的内容进行内容补充请输入要描述的内容进行内容补充
A. 请输入主标题
请输入要描述的内容进行内容补充请输入要描述的内容进行内容补充
B. 请输入主标题
请输入要描述的内容进行内容补充请输入要描述的内容进行内容补充
C. 请输入主标题
请输入要描述的内容进行内容补充请输入要描述的内容进行内容补充
D. 请输入主标题
请输入要描述的内容进行内容补充请输入要描述的内容进行内容补充
离子注入
请输入要描述的内容进行内容补充
请输入第一主标题
请输入要描述的内容进行内容补充
请输入第一主标题
请输入要描述的内容进行内容补充