刻蚀
ETCHING
深硅刻蚀机
主要用于硅材料的高速，深度，高深宽比刻蚀。比如：三维集成电路堆叠技术的硅通孔工艺；MEMS电容式惯性传感器；MEMS器件的深孔或深槽刻蚀等。
刻蚀材料：用于硅片的高深比刻蚀，推荐PR掩膜；
小线宽极限刻蚀： Trench0.6μm可达到深宽比＞50
工艺兼容性良好，刻蚀均匀性：5%
离子束刻蚀IBE
主要通过高能量的Ar离子束物理轰击材料表面，也可以通入化学气体进行反应刻蚀或者化学辅助对材料进行刻蚀。通常用来刻蚀金属、介质膜或者Si等材料，几乎所有的材料都可以刻蚀。
可进行光栅倾斜刻蚀工艺。
均匀性（8寸）：3%
反应离子刻蚀RIE
本设备主要通过气体放电产生大量化学活性的等离子体，利用离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀。同时，离子在自偏压电场中获得能量，对材料表面产生物理轰击作用。
可用于刻蚀SiO2、SiN、Si等材料；材料表面O2/Ar/N2/H2 Plasma处理;
①刻蚀均匀性（6inch）＜5%；
②SiO2：刻蚀速率 20-60nm/min；侧壁形貌 ≈85°；SiO2/PR 选择比＞2；
③SiNx：刻蚀速率 50-100nm/min；侧壁形貌 ≈85°；SiNx/PR 选择比＞1.5；
HF气相刻蚀机
采用气相HF气体进行无损刻蚀，用于MEMS 器件的悬臂释放，用于各类SiO2膜层的去除
工艺气体：HF , N2，H2。蚀刻材料：SiO2 如 PECVD、 LPCVD 、TEOS 、热氧 等；
悬臂工艺的SiO2释放速率是500nm/min,均匀性小于5%
氟化氙气相刻蚀机
用气相XeF2气体进行无损刻蚀，用于MEMS器件的悬臂释放，释放多晶硅、阿尔法硅、Ge、Mo 材料
工艺气体：H2 ,XeF2,N2 ；
悬臂工艺释放多晶硅的速率是10um/min,均匀性小于5%
深反应离子刻蚀
Si基MEMS器件：麦克风（空腔蚀刻等），加速计（梳齿结构等），射频滤波器（背面空腔蚀刻) 等。
刻蚀材料：Si、SiO2；
刻蚀能力：刻蚀均匀性UN＜3%；深Si刻蚀速率2-14um/min；SiO2刻蚀速率20-300nm/min。
感应耦合等离子体刻蚀
主要用于各种金属基材料的刻蚀，射频MEMS器件：BAW，FBAR（电极，台面等）等刻蚀；主要刻蚀材料为常见金属以及金属基材料，如Cr、W、Al、TiO2、Ta2O5、AlN、Mo、LN等。
刻蚀压电材料为：PZT/Pt材料，ScAlN/Mo材料，Pt/PZT/Pt材料，Mo/ScAlN/Mo材料等
等离子体去胶机
使用高浓度等离子体去除样品表面的光刻胶或刻蚀后的表面残胶，实现光刻胶的干法去除。
气体种类：O2/N2/Ar/CF4；
刻蚀
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深硅刻蚀
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