镀膜
COATING
金属磁控溅射
Au/Pt，铝，铜等金属，片内一致性＜5%，根据用户需求可达1%
非金属磁控溅射
氧化硅等非金属，片内一致性＜5%，根据用户需求可达1%
等离子增强化学气相沉积（PECVD）
低温生长沉积生长 SiO₂ 、SiNx绝缘介质薄膜
低压化学气相沉积（LPCVD）
生长氮化硅、多晶硅，片内不均匀性≤3%，片间不均匀性≤3%，批间不均匀性≤3%。。低应力SiO₂、SiN
双枪电子束蒸发
（1）单源蒸发主要用于Ti、Al、Cr、Ni、Ag、Sn、Pt、Au等金属薄膜材料蒸发制备；
（2）双源共蒸发主要用于AuSn、TiAl、TiNi等合金薄膜的制备
膜厚不均匀性：≤±5%
ALD原子层沉积
主要完成Al₂O₃、ZnO、HfO₂、ZrO₂、SiO₂ 等氧化物薄膜的生长，可兼容AlN等氮化物薄膜的生长
高真空金属热阻蒸发薄膜沉积
适合于Ag、Al、Sn、In、Bi等低熔点金属蒸发及其合金薄膜材料制备，可进行独立蒸发、多层轮蒸、多源共蒸工艺。
请输入主标题
请输入要描述的内容进行内容补充请输入要描述的内容进行内容补充
镀膜
请输入要描述的内容进行内容补充
请输入第一主标题
请输入要描述的内容进行内容补充
请输入第一主标题
请输入要描述的内容进行内容补充