光刻
LITHOGRAPHY
EBL电子束光刻
分辨率：10nm（成熟），，套刻精度：10nm，满足4吋、6吋、8吋晶圆光刻工艺。
基材：支持硅片、玻璃、石英等材料光刻。
应用范围：纳米器件研发、超表面、光子晶体、等离子体激元、单电子晶体管、超导量子比特、石墨烯/二维材料器件、纳米机械谐振器、纳米孔测序、微流控芯片、生物传感器。
DUV步进式光刻
分辨率：150nm，套刻精度≤0.15μm，满足6英吋、8英吋晶圆光刻工艺。
基材：支持硅片、玻璃、石英等材料光刻。
DWL激光直写
分辨率：300nm，套刻精度：±0.5μm
基材：支持硅片、玻璃、石英等材料光刻。
UV紫外光刻
分辨率：0.7μm，套刻精度：±0.2μm
基材：支持硅片、玻璃、石英等材料光刻。
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加工能力
CASE PRESENTATION
大面积光刻
700nm
大面积光刻
800nm
DWL激光直写
600nm
EBL电子束光刻
100nm