深圳微佳半导体科技有限公司

晶圆键合

WAFER BONDING

晶圆键合

可实现阳极键合、热压键合、中间层粘着键合、玻璃浆料键合、硅-硅直接键合、共晶键合（适用于PbSn、AuSn、CuSn、AuSi等材料）、临时键合（PI、SU8等键合专用胶）等键合工艺；主要应用于MEMS制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级先进封装以及3D互联、TSV工艺。最大键合压力60 kN (13500 lbf)

真空键合机

表面活化键合（SAB）用于热膨胀系数差异较大复合衬底制备、热预算较低的室温键合等场景。可进行室温异质材料键合，适用于小批量研发应用。支持例如Si-Si室温键合、Si-GaAs室温键合、GaN-Si室温键合、蓝宝石-Si室温键合等半导体材料键合工艺，无需高温退火。

可键合材料：Si、GaAs、SiC、GaN等大多数常见半导体材料。

引线键合

引线材料：Au、Al、Cu

键合类型：热压键合、超声波键合、热压焊

用于半导体封装、微电子器件以及光电子器件

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