EBL电子束光刻：最小线宽10nm（成熟）。
DUV光刻：最小线宽150nm。
DWL激光直写：最小线宽300nm。
大面积光刻：最小线宽700nm。
PECVD和LPCVD化学气相镀膜 氮化硅膜、氧化硅膜、多晶硅等薄膜沉积。
磁控溅射 各种金属、金属氧化物。
双枪电子束蒸发 用于金属薄膜、合金薄膜生长。
ALD原子层沉积 可在原子层级别上精确控制氧化物、氮化物的沉积过程。
ICP深硅刻蚀：深宽比＞50，主要刻硅、氧化硅等硅化物。
IBE离子束刻蚀：常规金属薄膜、介质膜以及化合物薄膜刻蚀。
RIE等离子体刻蚀：主要用于刻蚀GaN、GaAs与InP基光电器件和射频器件；射频MEMS器件；LiNbO3、LiTaO3；PZT压电材料、ScAlN等等。
RIE反应离子刻蚀：主要用于刻蚀硅、氧化硅、氮化硅等。
NLD深反应离子刻蚀：主要用于刻蚀石英、硅、氧化硅等。
HF气相刻蚀
Si注入工艺常见元素B、BF2、P、H、He、N、O、C、Ar、Si、Mg
兼容6寸及以下的掺杂工艺，具备掺杂深度小（1μm以内）
掺杂不受平衡固溶度的限制等优势。
硅-硅键合：硅片与硅片，硅片与二氧化硅
阳极键合：适用于硅片与玻璃、金属与玻璃、半导体与合金、半导体与玻璃间等等的键合
共晶键合（适用于PbSn、AuSn、CuSn、AuSi等材料）
临时键合 适用于临时胶键合、临时蜡键合（最大键合压力10 kN (2250 lbf)
熔融键合: 石英玻璃键合，蓝宝石键合
晶圆级电镀常见金属：Au，Cu，Ni，Sn
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自动点胶，工作范围：≤300*300mm
自动贴片，定位精度5μm
倒装焊
拥有场发射扫描电子显微镜（FESEM）、应力仪、椭偏仪、台阶仪、膜厚仪等多种类别的检测设备。
FIB分析
XRD、XPS成分分析
ICP深硅刻蚀：深宽比＞50，主要刻硅、氧化硅等硅化物。 IBE离子束刻蚀：常规金属薄膜、介质膜以及化合物薄膜刻蚀。 RIE等离子体刻蚀：主要用于刻蚀GaN、GaAs与InP基光电器件和射频器件；射频MEMS器件；LiNbO3、LiTaO3；PZT压电材料、ScAlN等等。 RIE反应离子刻蚀：主要用于刻蚀硅、氧化硅、氮化硅等。 NLD深反应离子刻蚀：主要用于刻蚀石英、硅、氧化硅等。 HF气相刻蚀